Kanallänge im Submikrometerbereich

Kanallänge im Submikrometerbereich
submikrometrinis kanalo plotis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. submicron channel width vok. Kanallänge im Submikrometerbereich, f rus. субмикронная ширина канала, f pranc. largeur submicronique du canal, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Игры ⚽ Поможем решить контрольную работу

Look at other dictionaries:

  • largeur submicronique du canal — submikrometrinis kanalo plotis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. submicron channel width vok. Kanallänge im Submikrometerbereich, f rus. субмикронная ширина канала, f pranc. largeur submicronique du canal, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • submicron channel width — submikrometrinis kanalo plotis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. submicron channel width vok. Kanallänge im Submikrometerbereich, f rus. субмикронная ширина канала, f pranc. largeur submicronique du canal, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • submikrometrinis kanalo plotis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. submicron channel width vok. Kanallänge im Submikrometerbereich, f rus. субмикронная ширина канала, f pranc. largeur submicronique du canal, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • субмикронная ширина канала — submikrometrinis kanalo plotis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. submicron channel width vok. Kanallänge im Submikrometerbereich, f rus. субмикронная ширина канала, f pranc. largeur submicronique du canal, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

  • Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

  • FinFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

  • MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

  • MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

  • MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”